BC857BS_R1_00001 دیتاشیت

BC857BS_R1_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC857BS_R1_00001
حجم فایل 64.053 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت BC857BS_R1_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: PANJIT International BC857BS_R1_00001
  • Transistor Type: 2PCSPNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: PANJIT International

محصولات مشابه