IPB025N08N3 G دیتاشیت

IPB025N08N3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB025N08N3 G
حجم فایل 49.167 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IPB025N08N3 G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB025N08N3 G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 206nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 14200pF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@270uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5mΩ@100A,10V
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه