- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت NCE30P25S
NCE30P25S دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | NCE30P25S |
|---|---|
| حجم فایل | 81.864 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت NCE30P25S |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P25S
- Power Dissipation (Pd): 3.5W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 25A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,15A
- Package: SOP-8
- Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor