ME10N15 دیتاشیت

ME10N15

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ME10N15
حجم فایل 85.452 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت ME10N15

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: MATSUKI ME10N15
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 32.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 538pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 7.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 21pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 285mΩ@10V,7A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: MATSUKI

محصولات مشابه