HSBA060N10 دیتاشیت

HSBA060N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBA060N10
حجم فایل 67.133 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HSBA060N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBA060N10
  • Power Dissipation (Pd): 89W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 86A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه