IPB80N06S2L-07 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPB80N06S2L-07
|
|
حجم فایل
|
62.304
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPB80N06S2L-07
-
Power Dissipation (Pd):
210W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
55V
-
Continuous Drain Current (Id):
80A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@150uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
6.7mΩ@10V,60A
-
Package:
TO-263-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
