دیتاشیت IPB80N06S2L-07
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB80N06S2L-07 |
|---|---|
| حجم فایل | 62.304 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت IPB80N06S2L-07 |
IPB80N06S2L-07 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB80N06S2L-07
- Power Dissipation (Pd): 210W
- Drain Source Voltage (Vdss): 55V
- Continuous Drain Current (Id): 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@150uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.7mΩ@10V,60A
- Package: TO-263-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
