IPD50R280CEAUMA1 دیتاشیت

IPD50R280CEAUMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD50R280CEAUMA1
حجم فایل 70.747 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IPD50R280CEAUMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD50R280CEAUMA1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 119W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 32.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 773pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 18.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@350uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 280mΩ@13V,4.2A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه