HYG023N04LS1D دیتاشیت

HYG023N04LS1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG023N04LS1D
حجم فایل 61.464 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت HYG023N04LS1D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG023N04LS1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 27.4nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4032pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 45pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2mΩ@10V,40A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه