دیتاشیت SSM3J356R,LF
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SSM3J356R,LF
|
| حجم فایل |
40.409
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA SSM3J356R,LF
-
Power Dissipation (Pd):
1W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
8.3nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
330pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
2A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
300mΩ@10V,1A
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
TOSHIBA
