دیتاشیت SI4425DY-T1-E3&-11-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI4425DY-T1-E3&-11-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 74.36 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI4425DY-T1-E3&-11-VB |
SI4425DY-T1-E3&-11-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI4425DY-T1-E3&-11-VB
- Power Dissipation (Pd): 5.6W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 11.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 12.5mΩ@10V,10A
- Package: SOP-8
- Manufacturer: VBsemi Elec
