IPP60R360P7XKSA1 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPP60R360P7XKSA1
|
|
حجم فایل
|
89.862
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
14
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPP60R360P7XKSA1
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
41W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
13nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
555pF@400V
-
Continuous Drain Current (Id):
9A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@140uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
360mΩ@10V,2.7A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
