CS5N60FA9HD دیتاشیت

CS5N60FA9HD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS5N60FA9HD
حجم فایل 79.27 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS5N60FA9HD

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS5N60FA9HD
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 544pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 8.5pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@10V,2A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه