VBsemi Elec NCE3010S-VB دیتاشیت

VBsemi Elec NCE3010S-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBsemi Elec NCE3010S-VB
حجم فایل 74.236 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت VBsemi Elec NCE3010S-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec NCE3010S-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 4.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.8nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 800pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 13A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 73pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V
  • Package: SOP-8

محصولات مشابه