RUM002N05MGT2L دیتاشیت

RUM002N05MGT2L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RUM002N05MGT2L
حجم فایل 67.852 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RUM002N05MGT2L-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RUM002N05MGT2L
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 50V
  • Continuous Drain Current (Id): 200mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2Ω@4.5V,200mA
  • Package: SOT-723
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه