MJD44H11T4 دیتاشیت

MJD44H11T4

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD44H11T4
حجم فایل 48.925 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت MJD44H11T4

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: STMicroelectronics MJD44H11T4
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 8A
  • Power Dissipation (Pd): 20W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 40@4A,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 10uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@8A,400mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: STMicroelectronics

محصولات مشابه