KSI2324DS-T1-GE3 دیتاشیت

KSI2324DS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KSI2324DS-T1-GE3
حجم فایل 77.317 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت KSI2324DS-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: KUU KSI2324DS-T1-GE3
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.4W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.2nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 436pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 44pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 41mΩ@4.5V,4.2A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: KUU

محصولات مشابه