CS16N06AE-G دیتاشیت

CS16N06AE-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS16N06AE-G
حجم فایل 76.152 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS16N06AE-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS16N06AE-G
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,8A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه