CSD86350Q5DT دیتاشیت

CSD86350Q5DT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD86350Q5DT
حجم فایل 81.661 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 24

مشاهده دیتاشیت CSD86350Q5DT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel(Half Bridge)
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Texas Instruments CSD86350Q5DT
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 13W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10.7nC@4.5V;25nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 25V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1870pF@12.5V;4000pF@12.5V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@250uA;1.6V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ@25A,5V;1.1mΩ@25A,5V
  • Package: SON-8
  • Manufacturer: Texas Instruments

محصولات مشابه