دیتاشیت IPW65R110CFD
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
IPW65R110CFD
|
حجم فایل |
35.729
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
20
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPW65R110CFD
-
Power Dissipation (Pd):
277.8W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Continuous Drain Current (Id):
31.2A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.5V@1.3mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
110mΩ@10V,12.7A
-
Package:
TO-247
-
Manufacturer:
Infineon Technologies