- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HSSN3139
HUASHUO HSSN3139 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HSSN3139 |
|---|---|
| حجم فایل | 62.044 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 5 |
دانلود دیتاشیت HSSN3139 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: 1 Piece P-Channel
- Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
- Datasheet: HUASHUO HSSN3139
- Power Dissipation (Pd): 350mW
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Continuous Drain Current (Id): 500mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 630mΩ@4.5V,500mA
- Package: SOT-323-3