BFP760H6327 دیتاشیت

BFP760H6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFP760H6327
حجم فایل 31.291 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 27

مشاهده دیتاشیت BFP760H6327

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BFP760H6327
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 70mA
  • Power Dissipation (Pd): 240mW
  • Transition Frequency (fT): 45GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@35mA,3V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 40nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 4V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: SOT-343
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه