HFD4N50-VB دیتاشیت

HFD4N50-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HFD4N50-VB
حجم فایل 69.634 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HFD4N50-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec HFD4N50-VB
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.5A
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@10V,4.5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه