IPD70R900P7SAUMA1 دیتاشیت

IPD70R900P7SAUMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD70R900P7SAUMA1
حجم فایل 78.135 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IPD70R900P7SAUMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD70R900P7SAUMA1
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 700V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 211pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@60uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,1.1A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه