دیتاشیت SI1967DH-T1-GE3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI1967DH-T1-GE3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 72.758 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت SI1967DH-T1-GE3-VB |
SI1967DH-T1-GE3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: 2 P-Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI1967DH-T1-GE3-VB
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 1.4W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 2.7nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 210pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 1.8A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 33pF@15V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 155mΩ@4.5V,2.5A
- Package: SC-70-6
- Manufacturer: VBsemi Elec
