PIP PTA08N65 دیتاشیت

PTA08N65

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PTA08N65
حجم فایل 81.314 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت PTA08N65

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: PIP PTA08N65
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 42W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 28nC@325V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.24nF
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 14pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.85Ω@10V,4A
  • Package: TO-220F-3

محصولات مشابه