دیتاشیت TK290P65Y,RQ
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
TK290P65Y,RQ
|
حجم فایل |
76.398
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
10
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA TK290P65Y,RQ
-
Power Dissipation (Pd):
100W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
25nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
730pF@300V
-
Continuous Drain Current (Id):
11.5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@450uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
290mΩ@10V,5.8A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
TOSHIBA