دیتاشیت FDT458P
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
FDT458P
|
| حجم فایل |
70.016
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
7
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi FDT458P
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
3W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
3.5nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
205pF@15V
-
Continuous Drain Current (Id):
3.4A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
130mΩ@10V,3.4A
-
Package:
SOT-223
-
Manufacturer:
onsemi
