BSD316SN H6327 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BSD316SN H6327
|
|
حجم فایل
|
71.401
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSD316SN H6327
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Continuous Drain Current (Id):
1.4A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@3.7uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
160mΩ@10V,1.4A
-
Package:
SOT-363-6
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
