NTBG060N090SC1 دیتاشیت

NTBG060N090SC1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTBG060N090SC1
حجم فایل 96.277 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت NTBG060N090SC1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTBG060N090SC1
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.6W;211W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 88nC@15V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 900V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1800pF@450V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.8A;44A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.3V@5mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 12pF@450V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 43mΩ@18V,20A
  • Package: D2PAK-7
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه