HYG161P10LA1S دیتاشیت

HYG161P10LA1S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG161P10LA1S
حجم فایل 62.197 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG161P10LA1S-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG161P10LA1S
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 5.4W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 24nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1376pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.65V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 36pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 135mΩ@10V,3A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه