NTBGS004N10G دیتاشیت

NTBGS004N10G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTBGS004N10G
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت NTBGS004N10G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTBGS004N10G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.7W;340W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 178nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 12100pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 21A;203A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@500uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 165pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,100A
  • Package: TO-263-7
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه