IRFS4229TRLPBF دیتاشیت

IRFS4229TRLPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRFS4229TRLPBF
حجم فایل 109.6 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IRFS4229TRLPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRFS4229TRLPBF
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 330W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 110nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 250V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4560pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 45A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 48mΩ@10V,26A
  • Package: D2PAK
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه