IRF60R217 دیتاشیت

IRF60R217

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF60R217
حجم فایل 72.058 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IRF60R217

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF60R217
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 83W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 66nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2170pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 58A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.7V@50uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.9mΩ@35A,10V
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه