- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SIR812DP-T1-GE3
Vishay Intertech SIR812DP-T1-GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SIR812DP-T1-GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 98.734 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت SIR812DP-T1-GE3 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: 1 N-Channel
- Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SIR812DP-T1-GE3
- Power Dissipation (Pd): 6.25W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 60A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.45mΩ@10V,20A
- Package: PowerPAK-SO-8