BSS806NEH6327 دیتاشیت

Infineon BSS806NEH6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Infineon BSS806NEH6327
حجم فایل 74.813 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت Infineon BSS806NEH6327

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSS806NEH6327
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 750mV@11uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 57mΩ@2.5V,2.3A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه