SISS23DN-T1-GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SISS23DN-T1-GE3
|
|
حجم فایل
|
93.374
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SISS23DN-T1-GE3
-
Power Dissipation (Pd):
57W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Continuous Drain Current (Id):
50A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
900mV@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
4.5mΩ@4.5V,20A
-
Package:
PowerPAK1212-8S
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
