G30N03D3 دیتاشیت

G30N03D3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G30N03D3
حجم فایل 76.628 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G30N03D3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G30N03D3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 24W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 825pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 40pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ
  • Package: DFN-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه