BFU530A دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BFU530A
|
|
حجم فایل
|
58.224
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
22
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
NXP Semicon BFU530A
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
-40°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
10mA
-
Power Dissipation (Pd):
450mW
-
Transition Frequency (fT):
11GHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
95@10mA,8V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
1nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
12V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
-
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
NXP Semicon
