PHT4NQ10T,135 دیتاشیت

PHT4NQ10T,135

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHT4NQ10T,135
حجم فایل 48.283 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت PHT4NQ10T,135

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PHT4NQ10T,135
  • Power Dissipation (Pd): 6.9W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 250mΩ@10V,1.75A
  • Package: SOT-223
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه