Nexperia PHT4NQ10T,135 دیتاشیت

PHT4NQ10T,135

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHT4NQ10T,135
حجم فایل 48.283 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHT4NQ10T,135-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PHT4NQ10T,135
  • Power Dissipation (Pd): 6.9W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 250mΩ@10V,1.75A
  • Package: SOT-223-3

محصولات مشابه