G8N03 دیتاشیت

G8N03

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G8N03
حجم فایل 64.279 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت G8N03

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G8N03
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 900pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 50pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه