SQ2310ES-T1_GE3 دیتاشیت

SQ2310ES-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQ2310ES-T1_GE3
حجم فایل 86.448 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SQ2310ES-T1_GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQ2310ES-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.5nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 485pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@4.5V,5A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه