SI6968BEDQ-T1-E3 دیتاشیت

SI6968BEDQ-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI6968BEDQ-T1-E3
حجم فایل 92.768 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SI6968BEDQ-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2PCSNChannel(Common Drain)
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI6968BEDQ-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@4.5V,6.5A
  • Package: TSSOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه