دیتاشیت BSC500N20NS3 G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
BSC500N20NS3 G
|
حجم فایل |
66.798
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSC500N20NS3 G
-
Power Dissipation (Pd):
96W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
200V
-
Continuous Drain Current (Id):
24A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@60uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
50mΩ@10V,22A
-
Package:
TDSON-8(6x5)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies