HSBA0256 دیتاشیت

HSBA0256

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBA0256
حجم فایل 70.044 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSBA0256

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBA0256
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 851pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 8pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16.5mΩ@10V,10A
  • Package: TDSON-8-4
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه