NTH4LN067N65S3H دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NTH4LN067N65S3H
|
|
حجم فایل
|
68.043
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NTH4LN067N65S3H
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
266W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
80nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
3750pF@400V
-
Continuous Drain Current (Id):
40A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@3.9mA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
55mΩ@10V,20A
-
Package:
TO-247-4
-
Manufacturer:
onsemi
