دیتاشیت BCP53-10,115
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
BCP53-10,115
|
| حجم فایل |
54.082
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
22
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Nexperia BCP53-10,115
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
1A
-
Power Dissipation (Pd):
1W
-
Transition Frequency (fT):
145MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
63@150mA,2V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
80V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
500mV@500mA,50mA
-
Package:
SOT-223
-
Manufacturer:
Nexperia
