دیتاشیت Si2302CDS-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | Si2302CDS-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 68.795 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 5 |
دانلود دیتاشیت Si2302CDS-T1-GE3 |
Si2302CDS-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech Si2302CDS-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 710mW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5.5nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Continuous Drain Current (Id): 2.9A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 850mV@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 57mΩ@4.5V,3.6A
- Package: SOT-23
- Manufacturer: Vishay Intertech