دیتاشیت HN1A01FE-Y,LF

HN1A01FE-Y,LF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HN1A01FE-Y,LF
حجم فایل 87.07 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت HN1A01FE-Y,LF

HN1A01FE-Y,LF Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: TOSHIBA HN1A01FE-Y,LF
  • Transistor Type: 2PCSPNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 150mA
  • Power Dissipation (Pd): 100mW
  • Transition Frequency (fT): 80MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@2mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@100mA,10mA
  • Package: SOT-666-6
  • Manufacturer: TOSHIBA