SI1469DH-T1-GE3 دیتاشیت

SI1469DH-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1469DH-T1-GE3
حجم فایل 80.489 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت SI1469DH-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1469DH-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W;2.78W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.5nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 470pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,2A
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه