PEMB9,115 دیتاشیت

PUMB9,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PUMB9,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PUMB9,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PEMB9,115
  • Input Resistor: 10kΩ
  • Resistor Ratio: 4.7
  • Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@5mA,5V
  • Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce): 0.8V@1mA,0.3V
  • Output Voltage (VO(on)@Io/Ii): -
  • Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce): 0.7V@100uA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@5mA,0.25mA
  • Package: SOT-666-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه